ヨーク大学との共同研究の成果がPhysical Review Bに掲載されました。
ヨーク大学との共著論文「Development of an optically gated Fe/n-GaAs spin-polarized transistor」がPhysical Review Bに掲載されました。
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ヨーク大学との共著論文「Development of an optically gated Fe/n-GaAs spin-polarized transistor」がPhysical Review Bに掲載されました。
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輕部助教が筆頭著者の論文「Observation of Spin-Splitter Torque in Collinear Antiferromagnetic RuO2」がPhysical Review Lettersに掲載されました。
※本発表についてプレスリリースを行いました。
「新しいスピン流生成現象を発見し磁場無しで垂直磁化反転を実証 ─ データ記憶素子のさらなる高速化と低消費電力化に期待 ─」
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2022年4月 本研究室卒業生柳くん(KAIST/現SAIST)と好田教授・新田名誉教授の研究がNature Electronicsに掲載されました。
スピンをベクトルとして取り扱うことで高効率磁化反転を実現しました。
本研究は、KAIST (韓国) Byong-Guk Park教授・Kyung-Jin Lee教授との共同研究による成果です。
「スピン流を利用した高効率磁化反転の新原理を確立 -スピン流を効率的に利用し、外部磁場不要・30%低電流を実現 –」
本研究室卒業生柳くん(KAIST/現SAIST)と好田教授・新田名誉教授の研究がNature Electronicsに掲載されました。 Read More »
新田淳作先生が2022年3月に退官され、好田誠教授が光電子情報材料学分野において研究室を立ち上げました。
これまでの半導体量子構造に関するスピン物性を引き継ぎながら、電子スピン波物性や量子技術へと展開していきます。
どうぞ宜しく御願い致します。
好田誠教授が光電子情報材料学分野において研究室を立ち上げました。 Read More »